GaN单晶生长的研究

将避开GaN熔点高、易分解的特点，采用非水溶剂，低熔点无机盐及金属作为矿化剂和助熔粒芯縂aN与这些物质的相互作用规律，找出合适的矿化剂和助熔剂。研究生长条件对GaN逯柿康挠跋欤赏诓惶叩奈露群脱沽ο拢こ鼍哂惺涤眉壑档腉aN单晶。类似的工作在国内外尚未见报道，本课题具有开创性，对生长其它氮化物晶体具有指导意义。