纳米岛光刻技术和它在同步辐射纳米光刻中的应用

基本信息
批准号:50375150
项目类别:面上项目
资助金额:26.00
负责人:伊福廷
学科分类:
依托单位:中国科学院高能物理研究所
批准年份:2003
结题年份:2006
起止时间:2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:彭良强,张菊芳,韩勇,黄军容
关键词:
纳米结构微加工NEMS同步辐射光刻MEMS
结项摘要

该研究项目将建立起一种新的纳米结构制造方法- - 纳米岛光刻技术。利用该技术制造出几十纳米到微米尺度的岛结构,然后利用剥离、刻蚀、同步辐射光刻等技术,将该岛结构转化成纳米孔、纳米岛、纳米井等结构。该技术的特点是能够制造出具有各种密度的纳米结构(最高覆盖率可达50%以上),同时该方法与电子束等微加工方法相比,具有明显的成本和工艺优势,表现为低的工艺成本和容易完成的工艺性能,是纳米岛结构一种非常有效的专业制造方法。该项目的完成,将建立起纳米岛光刻技术研究的基础平台,为国内的纳米研究服务。纳米结构的一些独特的性能已引起许多研究人员的高度重视,从而得到了迅速的发展,而纳米岛结构作为一种独特的纳米结构,已经在微光学、电化学、生物技术等方面得到了重视,正在进行研究和开发,并已取得了重要的研究成果。纳米岛光刻技术以其低廉的开发成本,优越的工艺性能,高密度的纳米结构,在纳米技术的研究和应用方面将发挥重要作用。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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