硅表面同步辐射光刻蚀图样的制备及其应用研究

本项目是利用掩模方法，在硅表面开展同步辐射光刻蚀图样的制备及其应用研究。用热氧化法在硅晶片上生长二氧化硅薄膜，结合光刻和磁控溅射技术制备微米量级的接触型钴掩模，利用聚焦离子束沉积制备钨纳米柱掩模，通过同步辐射光激励的表面刻蚀，在室温下制备微纳米尺度的二氧化硅薄膜刻蚀图样；研究同步辐射光强度、反应气体浓度、样品温度等对刻蚀率的影响，考察不同厚度掩模的抗蚀能力，通过优化刻蚀条件，提高刻蚀率，进一步理解刻蚀机理；在刻蚀图样上选择性沉积自组装单分子薄膜，构建具有稳定亲水或疏水特性的沟道表面，进行新型硅基生物传感、光电信息器件等方面的探索。预期成果将对应用同步辐射刻蚀制作硅基生物传感器件及大规模集成电路具有一定的参考价值。