快速热处理下大直径单晶硅中过渡族金属行为的研究

SOC是建立在特征线宽为0.1微米的超大规模集成电路上，对其基础材料大直径直拉单晶硅杂质和缺陷的了解和控制提出了更高的要求。过渡族金属杂质是硅中主要污染，对集成电路有致命的影响。目前快速热处理工艺广泛地应用到微电子工艺中，因此，本项目研究快速热处理工艺下在大直径单晶硅中过渡族金属与本征点缺陷的相互作用，研究快速热处理工艺参数和不同的原始硅片对过渡族金属作用规律的影响，同时研究快速热处理工艺条件下形成的金属沉淀或各种复合体，及其对随后的氧沉淀和洁净区的影响，以及内吸杂工艺中所吸引的金属沉淀在快速热处理下的稳定性，研究过渡族金属与点缺陷或其复合体的作用机理，为SOC集成电路用大直径硅单晶的制备和加工提供坚实的理论基础和技术依据。