电泳制备纳米颗粒Ga2O3膜反应重构GaN晶体膜的研究

利用Ga2O3纳米颗粒为Ga源，在SiGaAs等衬底上电泳制备Ga2O3膜，以NH3为氮源，在管式炉中控制NH3源流量，炉温和时间，反应重构形成GaN晶体膜，并探索P型掺杂。研究膜的结构形貌及稳定性，研究发光特性及机理，研究其电子输运特性，研究P型掺杂机理，研究Ga2O3膜反应重构形成GaN膜的原理，为制备GaN膜材料探索新方法，为制作GaN光电器件开辟新的工艺途径。