Si基溅射ZnO/Ga2O3膜反应自组GaN晶体膜的研究

利用射频溅射法在Si基衬底上制备纳米ZnO缓冲层后，再在缓冲层上溅射Ga2O3膜，在管式炉中通NH3，控制气体流量、炉温和时间，反应自组GaN晶体膜。并探索P型掺杂。研究膜的结构形貌及其稳定性，研究发光特性及机理，研究其电子输运特性，研究P型掺杂机理，研究纳米ZnO缓冲层的作用及Ga2O3膜反应自组GaN膜的原理，为制备GaN晶体膜材料探索新方法，为制作GaN光电子器件开辟新的工艺途径。