GaN纳米线及其阵列膜的可控制备及场发射特性研究

一维氮化镓（GaN）纳米材料在纳米微电器件、纳米光电器件及光信息中有着重要的应用前景，这些应用要求能够对纳米线或纳米管的的形貌、尺寸、结构和掺杂等关键参数进行可靠调控，实现控制生长；而且要求对其物性和场发射等特性与纳米线和纳米管的形貌、尺寸、结构等关键参数之间的关系有系统理论。本项目拟对GaN纳米线及其阵列的可控生长、物性及场发射特性和GaN纳米管的物性和场发射特性进行研究。一是从实验深入研究制备GaN纳米线及其阵列的生长规律，掌握调控纳米线的形貌、尺寸、组分和微结构等关键参数的实验技术，实现纳米线及其阵列的可控生长，制备出具有器件应用前景的高质量GaN纳米线及其阵列，为纳米线及其阵列的器件应用奠定材料基础；二是从理论上应用密度泛函理论系统地研究纳米线和纳米管的电子结构及其组分、结构等参数与物性和场发射特性之间的关系，为纳米线及其阵列和纳米管的器件应用奠定理论基础。