用正电子湮没方法研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体*3
基本信息
批准号：68976016
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：黄懋容
学科分类：
依托单位：中国科学院高能物理研究所
批准年份：1989
结题年份：1992
起止时间：1990-01-01 - 1992-06-01
项目状态： 已结题
项目参与者：王温玉,何永枢,杨巨华
关键词：
化合物半导体正电子湮没技术
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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