用正电子湮没方法研究Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体*3
基本信息
批准号：68976016
项目类别：面上项目
资助金额：3.00
负责人：黄懋容
学科分类：
依托单位：中国科学院高能物理研究所
批准年份：1989
结题年份：1992
起止时间：1990-01-01 - 1992-06-01
项目状态： 已结题
项目参与者：王温玉,何永枢,杨巨华
关键词：
化合物半导体正电子湮没技术
结项摘要
项目摘要
项目成果
{{index+1}}
{{i.achievement_title}}
{{i.achievement_title}}
DOI：{{i.doi}}
发表时间：{{i.publish_year}}
暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
其他相关文献
1
涡度相关技术及其在陆地生态系统通量研究中的应用
涡度相关技术及其在陆地生态系统通量研究中的应用
DOI：10.17521/cjpe.2019.0351
发表时间：2020
2
硬件木马:关键问题研究进展及新动向
硬件木马:关键问题研究进展及新动向
DOI：
发表时间：2018
3
端壁抽吸控制下攻角对压气机叶栅叶尖 泄漏流动的影响
端壁抽吸控制下攻角对压气机叶栅叶尖 泄漏流动的影响
DOI：
发表时间：2020
4
基于公众情感倾向的主题公园评价研究——以哈尔滨市伏尔加庄园为例
基于公众情感倾向的主题公园评价研究——以哈尔滨市伏尔加庄园为例
DOI：
发表时间：2022
5
结核性胸膜炎分子及生化免疫学诊断研究进展
结核性胸膜炎分子及生化免疫学诊断研究进展
DOI：10.3760/cma.j.issn.1674-2397.2020.05.013
发表时间：2020
黄懋容的其他基金
相似国自然基金
1
CdZnTe半导体辐照缺陷的正电子湮没研究
批准号：10376017
批准年份：2003
负责人：何元金
学科分类：A31
资助金额：20.00
项目类别：联合基金项目
2
金属间化合物ＣO3Ｔi的正电子湮没谱学研究
批准号：18870119
批准年份：1988
负责人：王天民
学科分类：A30
资助金额：3.00
项目类别：面上项目
3
用正电子湮没谱学研究辐照缺陷的自修复机理
批准号：11275142
批准年份：2012
负责人：王柱
学科分类：A3004
资助金额：90.00
项目类别：面上项目
4
硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究
批准号：10564001
批准年份：2005
负责人：邓文
学科分类：A20
资助金额：35.00
项目类别：地区科学基金项目