CdZnTe半导体辐照缺陷的正电子湮没研究
基本信息
批准号：10376017
项目类别：联合基金项目
资助金额：20.00
负责人：何元金
学科分类：
依托单位：清华大学
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：张慧云,茅卫红,万年胜,王志敏,吴一东
关键词：
辐照缺陷半导体探测器正电子湮没CdZnTe
结项摘要
CdZnTe是最有发展前途的室温半导体X,gamma射线探测器之一，目前应用中存在的主要障碍是难以制备大体积优质单晶，晶体缺陷造成的材料迁移率寿命乘积降低，使探测器性能变坏；另外尚缺乏材料抗辐照损伤能力的实验数据和综合评价。本项目用正电子湮没技术对CdZnTe晶体辐照缺陷进行深入研究。精确测量辐照前后的正电子湮没寿命谱；通过控制工艺，有意识地引入一系列不同浓度的空位型缺陷，研究其正电子湮没谱特征；
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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