硅基半导体中氧及缺陷行为的符合正电子湮没谱研究

测量单晶Si、Al、B等纯元素，不同氧含量经不同热处理工艺的单晶硅，经不同热处理工艺的二氧化硅晶体的符合正电子湮没辐射Doppler展宽谱和寿命谱。研究不同氧含量不同热处理工艺的单晶硅中氧化物、缺陷、氧-缺陷复合体的形成、演化过程。研究硅和二氧化硅晶体中的微观缺陷和不同湮没态的电子密度，以及这些缺陷经不同热处理工艺后的变化。探讨氧和缺陷影响硅基半导体材料电性能的微观机理。