一维铁磁金属/半导体纳米杂化结构的生长制备和自旋相关现象的研究

随着电子器件的集成密度越来越高、器件尺寸越来越小以及自旋电子学科技的发展，探索适用于未来纳米尺度上的自旋电子学器件的理想组件十分重要。本项目拟采用铁磁过渡金属（Fe、Co、Ni等）和Ⅱ-Ⅵ族半导体（ZnO、ZnSe、CdS、CdSe）所形成的纳米杂化结构为研究对象，系统研究高质量、符合未来纳米自旋电子器件实际需要的一维纳米杂化结构的可控生长工艺及其磁学、输运方面的特性，尤其是单根纳米杂化结构的自旋相关现象（如磁阻效应、自旋注入、自旋极化电流输运等）的研究，探索单根纳米杂化结构应用于器件组件的可能性，为纳米级自旋电子学材料的发展提供工艺技术平台和理论依据。