磁性半导体、半金属及其异质结构的生长制备和自旋相关现象的研究

本项目主要研究Mn掺杂和Cr掺杂的III-V族磁性半导体(III,M)V (这里III=Ga, In; M=Mn, Cr; V=Sb, As)、半金属磁性材料闪锌矿结构锑化铬(zb-CrSb)和砷化铬(zb-CrAs) 及其异质结构的生长制备和与自旋相关的磁、电和光学性质；研究(III,M)V、zb-CrSb和zb-CrAs分别与非磁性半导体组成异质结构的界面结构、层间相互作用和隧道效应等物理性质；研究自旋极化载流子从(III,M)V、zb-CrSb或zb-CrAs向非磁性半导体的注入、输运、操作、存储和检测，并探索用(III,M)V、zb-CrSb和zb-CrAs制备的高性能多功能半导体自旋基器件，如自旋发光二极管和自旋场效应晶体管等。本项目的研究内容对于在半导体结构中同时操作电子的电荷和自旋自由度来实现信息处理、提升现有器件的功能和开拓新一代自旋量子器件具有重要意义。