源漏不对称肖特基势垒场效应晶体管的研究

主要研究内容：提出了新型源漏不对称肖特基势垒场效应晶体管结构，从理论上分析新型结构工作的特点和优点，进行设计优化。提出了采用侧墙图形化技术研制亚100纳米尺度源漏不对称肖特基势垒场效应晶体管的方法。开发出研制亚100纳米源漏不对称结构的工艺技术。进一步探索将新型不对称结构与新型工艺技术相结合的方案。. . 研究意义：本项目立足于技术创新，研究面向亚100纳米尺度应用新型器件结构，提出的实验方案与常规CMOS工艺完全兼容，可以为工业界应用，有利于形成新型的具有自主知识产权的ULSI集成电路技术。