超晶格AlP/GaP特性研究及其高亮度LED的研制

对短周期超晶格材料（AlP）/（GaP）n的晶体结构、化学键、电子状态的混合、导带极小值在布里渊区中心[点的折叠效应引起的能带由间接带隙转变为直接带隙及带间光跃迁几率的计算,在进行深入研究的基础上，用MOVPE技术，在国内首次成功地研制出晶体生长层质量良好，表面光滑平整的超晶格材料（AlP）n/（GaP）n系统研究分析了这种新一代电子材料的一系列光学和电学特性。为新型半导体材料的发展提供了必要的理论依据和实验结果。在上述工作取得成果的基础上，用这种超晶格（SL）材料研制出了高亮度SL—LED。并进了PL谱、EL谱及电流—电压特性及发光强度的测试，并与GaP—LPE生产的LED进行了对比分析，从而为超晶格光电子器件的发展提供了理论和实验依据。