Si基复合材料的制备及光电探测器的研制

合成并提纯了有机半导体材料3，4，9，10，Perylenetetracarboxylic dianhydride-(PTCDA),研究了它的分子团的组态，化学键及其晶体结构以及它的光学和电学特性。测试分析表明，其薄膜沉积是择优取向的；在波长560-410nm处存在着光的吸收，在波长为650nm附近，呈透明状态；由PTCDA/Psi形成的异质结，具有肖特基势垒特性；由界面用XPS，AFM进行了研究，其中Cis有两个峰，结合能为284.6ev和288.3ev；Ois也有两个谱峰，结合能为531.3ev和533.1ev，它分别对应于PTCDA分子酸酐基团上的C=O和C-O-C键上的O。在这些研究的基础上研制出了内量子效率接近95%的ITO/PTCDA/p-si/In四层结构参数优化的光电探测器。该项研究对有机半导体材料的发展及有机/无机新型光电探测器的研制提供了重要的理论依据和研制方法。