金属性和半导体性单壁碳纳米管的选择性富集和机理研究

单壁碳纳米管以其优异的电学性能引起了人们广泛的关注和研究。目前，现有方法制备的单壁碳纳米管都是金属性管和半导体性管的混合物, 因此金属性和半导体性单壁碳纳米管的选择性富集是一个亟待解决、无法回避的基础性科学问题。在本研究中，围绕金属性和半导体性单壁碳纳米管选择性生长、机理和后生长分离的基础性科学问题，力图通过研究进一步深入探索影响选择性生长富集的因素和了解内在机理，探索新型的电化学刻蚀反应，为单壁碳管高性能器件研究奠定基础。这一研究具有重要的科学意义和广阔的应用前景，是一项针对性、探索性和交叉性的基础研究课题。