MOCVD制备BaTiO3铁电薄膜的研究

基本信息
批准号:69378024
项目类别:面上项目
资助金额:6.00
负责人:王弘
学科分类:
依托单位:山东大学
批准年份:1993
结题年份:1996
起止时间:1994-01-01 - 1996-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:尚淑霞,王晓林,王卓,余立
关键词:
BaTiO3铁电薄膜MOCVD技术
结项摘要

洗去ATP合成酶F1β亚基上结合的核苷酸,再用ATP或ADP全部位点或仅单位点上结合ATP或ADP,测诸情况下F0的构象及F1F0对DCCD和寡霉素的敏感性,发现结合ATP时的构象和功能与结合ADP或空着位点时的不同,后二者则相似。推论ATP合成不同阶段的信息可通过F1传递到F0,影响F0的构象,调控质子通道。实验中检测到单位点水解ATP时F0随时间进程的构象变化。推论ATP合成过程中也存在相应的构象变化。还建立了竹红菌乙素作猝灭剂研究F0构象的方法,完成了超大分子F1-ATP酶空间结晶预实验及P2和叠氮钠对线粒体F1-ATP酶构象不同影响的研究。用遗传工程方法合成了Tgr→Cgs双突变的F0的C亚基,得到了叠氮钠既抑制ATP水解又抑制ATP合成反应的初步结果。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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