Ⅲ-Ⅴ族半导体缺陷结构、电荷态及亚稳态的正电子研究

本项目利用对原子尺度缺陷极为敏感的正电子为探针，首次在半导体研究中采用正电子寿命连续分布的分析方法，研究了两种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体砷化镓和磷化铟中原生缺陷的种类、大小、电荷态及浓度等信息；研究了缺陷随温度的变化发生的电离现象，以及负离子型缺陷；研究了塑性形变及各种粒子辐照后在半导体中产生的缺陷；研究了低温下光照后缺陷电荷态的转变以及辐照产生的亚稳态缺陷；；研究了重掺杂磷化铟半导体中缺陷的产生以及缺陷与杂质的相互作用，探讨了缺陷补偿载流子的微观机理。改进了常规的多普勒展宽谱仪，用改进的谱仪鉴别了掺Fe的InP中缺陷—杂质复合体。本项目取得了一批在国际上具有特色的研究成果，共完成论文19篇。