半导体霍耳效应测量的无接触微波方法

提出了一种新的以场和路的结合为基本特征的分析方法；将边缘元、模匹配和多模网络理论熔为一体，成功地解决了通过霍尔效应的无接触微波测量来确定半导体特性参数的难题。从理论和实验的结合上对测量各种半导体迁移率、电导率和载流子浓度等特性的无接触微波方法进行了探索性研究并取得了突破性进展。成功地建立了一套设备简单，操作方便，经济实用的常规测试手段，以较快的测量速度，精确地测定半导体的各种特性参数。对边缘元的数学原理和实验技巧进行了深入的研究。首次给出无伪解边缘元空间构造的二条基本准则，并依此成功地构造了高次混合型三角形和四边形边缘元，及三维高次四面体边缘元，用它们来计算半导体散射参数，获得了很大的成功。