砷化镓,碲镉汞的霍耳效应的微波无损检测

本项目已按计划、按期研制成用微波无接触、无损检测半导体单晶薄片或外延材料的横向磁阻装置；包括测试砷化镓、碲镉汞材料。并且对不同能带结构，不同型号的材料研究了相应的由横向磁阻计算迁移率的方法，其结果和需做电极的Vande Pauw法基本一致。再结合对样品的电阻率无接触测试，还可以算得样品中载流子的浓度。测试面积为4×4mm（2），样品放在两测试探头中间后可以移动。即可以任意选择测试区域。本方法地于无法制作欧姆接触电极的材料如高阻或高组份材料等新材料的研制特别有用。如已测试过的用MBE法制作的掺铒SiOx，调制掺杂的Si/Si1-xGex外延材料，已发表文章国际2篇，国内3篇。国际会议1次。本项目已获得国家教委科技进步三等奖。