功率集成电路芯片与系统电磁干扰可靠性研究

功率集成电路芯片和所应用的系统存在着很强的电磁干扰环境，目前，对于功率集成电路应用系统的研究已经很多，集中在系统的层面，常常忽略了作为一个非常重要的干扰源和受扰源的高压、大电流集成电路驱动芯片内部电路的研究。我们首次从功率集成电路芯片的内部电路的角度研究其电磁辐射和抗扰度问题，研究功率集成电路驱动芯片与系统互相作用和机理,按照集成电路电磁发射测试标准IEC61967和集成电路电磁抗扰度标准IEC62132进行芯片电磁辐射和电磁抗扰度测试，通过对测试结果的分析,提出芯片减少电磁辐射干扰和提高抗扰度的再设计方法。从而，不仅促进功率集成电路芯片的电磁兼容的发展、同时对广泛应用功率集成电路芯片的电机、家用电器、汽车等领域产品通过国家和国际上的相应认证有指导作用。

［摘要］本课题电路芯片的内部电路的角度研究其电磁辐射和抗扰度问题，建立芯片级电磁兼容仿真模型，和采用按照集成电路电磁发射测试标准IEC61967和集成电路电磁抗扰度标准IEC62132进行芯片电磁辐射和电磁抗扰度测试方法，提出了分组翻转设计等系列方法减少芯片高速链路的传导噪声，增加和分析了在LNA的ESD保护电路和对电路的影响。在LED芯片的电磁兼容实验中，首次发现和分析了在芯片中的类似隧道电流的现象和机理，为行业提出了LED芯片应用于室内照明和室外照明时的电磁干扰和电磁抗扰度的两项测试标准,完成一部有关的著作。