同步辐射技术研究表面熔化机理
基本信息
批准号：10174068
项目类别：面上项目
资助金额：24.00
负责人：韦世强
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：袁椿华,王晓光,闫文胜,范江伟,姜政
关键词：
表面熔化同步辐射XAFSGe晶面
结项摘要
高亮度同步辐射XAFS(X-射线吸收精细结构)RHEED(反射高能电子衍射)SRPES(光电子能谱)等技术研究(100)、(110)、(111)不同晶面取向Ge晶体薄膜和Ge量子点/Si(111)在表面熔化前蠹肮讨械脑雍偷缱咏峁沟牟钜欤肿恿ρХ椒扑鉍e熔化前后的结构和性质，比较实楹屠砺鄣难芯拷峁⑾嗷ビ≈ぁ４釉臃肿铀饺鲜镀浔砻嫒刍氖抵屎臀⒐刍怼?.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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