用于平板显示的掺杂四面体键合碳膜的制备与场致发射

四面体键合碳膜因具有类金刚石性能和可掺杂等特点，被认为是一种可用于平板显示的理想场发射阴极材料。本研究用纳米厚度薄膜淀积和氢等离子体化学退火交替进行的逐层生长技术制备N型和P型掺杂四面体键合碳膜，并用准分子脉冲激光处理技术进一步驰豫材料网络结构和提高掺杂效率，以降低场发射势垒，提高发射电流密度及发射均匀性和稳定性。