洪积扇特征的区域对比及发育模式研究

对多孔硅表面反应活性和发光增强(淬灭)现象及其机理进行了深入研究，初步探索了在化学传感技术中的应用。首次用STM观察并用Raman光谱证实，多孔硅具有纳晶硅组成的双层结构，成功采用HNO3氧化方法获得了发光稳定、表面反应活性异于新鲜多孔硅并具有更好的反应可逆性和选择性的多孔硅，有效改进了发光增强(淬灭)效应。研究中首次发现现含氰基的有机电子受体分子的吸附可明显增强多孔硅的发光效率。发现有机溶剂及有机胺等电子给体分子可不同程度淬灭多孔硅发光。PL变化的定性及定量研究表明，吸附分子的氧化还原电位、分子结构及多孔硅微结构等因素明显影响发光增强(淬灭)效应。用新表面态星成模型对机理进行了合理解释。并得到多孔硅表面电子结构阻抗谱研究的有力证实。