在硅衬底上用单根II－VI族化合物半导体纳米线组装发光器件

II－VI族化合物半导体是很强的发光材料，硅是最重要的微电子材料，二者结合，可为硅基光电集成提供一种线索。. 本项目拟采用激光烧蚀或热输运法制备尺寸可控的II－VI族化合物半导体纳米线；研究单根纳米线的光致发光特征；进而利用电子束光刻，聚焦离子束等手段在硅衬底上制作成异质结单根纳米线发光器件；研究器件的电致发光特征和产生激射的条件。