由交叉的单根n型直接禁带半导体纳米线和单根p型硅纳米线形成的纳米异质结电致发光与激光

基本信息
批准号:60576037
项目类别:面上项目
资助金额:28.00
负责人:戴伦
学科分类:
依托单位:北京大学
批准年份:2005
结题年份:2008
起止时间:2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:霍海滨,孙凯,陈挺,夏冬炎,马仁敏,杨卫全,乔永平
关键词:
纳米结构发光Si异质结二极管激光
结项摘要

信息科学技术的发展要求用光子代替电子作为信息载体,即微/纳电子集成要向微/纳光电子集成方向发展。直接禁带半导体纳米材料可以用于制备高效的纳米发光和激光器件,而且容易实现与硅微电子的集成。具有直接禁带的GaN及其三元合金以及II-VI族化合物半导体的发光波长可以覆盖从红外到紫外整个波段。本项目拟采用化学气相沉积法和金属有机化学气相沉积法生长并控制掺杂n型GaN及其三元合金以及多种II-VI族化合物半导体纳米线,并通过磁控溅射和半导体微加工的方法在SiO2/Si衬底上制备p-Si纳米线,进而制备由单根n型直接禁带半导体纳米线和单根p-Si纳米线形成的纳米异质结二极管,研究其电致发光和激光性质,探索实现硅基电致发光和激光的新原理、新结构和新技术。本研究是发展新型硅基纳米电致发光和激光器件、实现纳光子与硅微电子集成的一种新途径,具有重要的科学意义和广泛的应用前景。

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

High Performance Van der Waals Graphene-WS2-Si Heterostructure Photodetector

High Performance Van der Waals Graphene-WS2-Si Heterostructure Photodetector

DOI:10.1002/admi.201901304
发表时间:2019
2

基于被动变阻尼装置高层结构风振控制效果对比分析

基于被动变阻尼装置高层结构风振控制效果对比分析

DOI:10.13197/j.eeev.2019.05.95.fuwq.009
发表时间:2019
3

基于改进LinkNet的寒旱区遥感图像河流识别方法

基于改进LinkNet的寒旱区遥感图像河流识别方法

DOI:10.6041/j.issn.1000-1298.2022.07.022
发表时间:2022
4

基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器

基于腔内级联变频的0.63μm波段多波长激光器

DOI:10.3788/CJL201946.0801003
发表时间:2019
5

血管内皮细胞线粒体动力学相关功能与心血管疾病关系的研究进展

血管内皮细胞线粒体动力学相关功能与心血管疾病关系的研究进展

DOI:10.13191/j.chj.2017.0028
发表时间:2016

戴伦的其他基金

批准号:10374004
批准年份:2003
资助金额:31.00
项目类别:面上项目
批准号:11474007
批准年份:2014
资助金额:105.00
项目类别:面上项目
批准号:61874003
批准年份:2018
资助金额:66.00
项目类别:面上项目
批准号:10774007
批准年份:2007
资助金额:43.00
项目类别:面上项目
批准号:51172004
批准年份:2011
资助金额:60.00
项目类别:面上项目
批准号:11074006
批准年份:2010
资助金额:55.00
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

III族氮化物半导体单根纳米线微腔电致发光和激光

批准号:10374004
批准年份:2003
负责人:戴伦
学科分类:A2002
资助金额:31.00
项目类别:面上项目
2

单根宽范围波长可调半导体纳米线激光器研究

批准号:51372220
批准年份:2013
负责人:杨青
学科分类:E0207
资助金额:80.00
项目类别:面上项目
3

基于单根ZnO纳米线的近紫外电致发光器件的研究

批准号:11404009
批准年份:2014
负责人:林芳
学科分类:A2002
资助金额:29.00
项目类别:青年科学基金项目
4

金属纳米颗粒修饰提高单根同轴硅纳米线太阳电池性能的研究

批准号:61404057
批准年份:2014
负责人:刘文富
学科分类:F0403
资助金额:22.00
项目类别:青年科学基金项目