由交叉的单根n型直接禁带半导体纳米线和单根p型硅纳米线形成的纳米异质结电致发光与激光
基本信息
批准号：60576037
项目类别：面上项目
资助金额：28.00
负责人：戴伦
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2005
结题年份：2008
起止时间：2006-01-01 - 2008-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：霍海滨,孙凯,陈挺,夏冬炎,马仁敏,杨卫全,乔永平
关键词：
纳米结构发光Si异质结二极管激光
结项摘要
信息科学技术的发展要求用光子代替电子作为信息载体，即微/纳电子集成要向微/纳光电子集成方向发展。直接禁带半导体纳米材料可以用于制备高效的纳米发光和激光器件，而且容易实现与硅微电子的集成。具有直接禁带的GaN及其三元合金以及II-VI族化合物半导体的发光波长可以覆盖从红外到紫外整个波段。本项目拟采用化学气相沉积法和金属有机化学气相沉积法生长并控制掺杂n型GaN及其三元合金以及多种II-VI族化合物半导体纳米线,并通过磁控溅射和半导体微加工的方法在SiO2/Si衬底上制备p-Si纳米线，进而制备由单根n型直接禁带半导体纳米线和单根p-Si纳米线形成的纳米异质结二极管，研究其电致发光和激光性质，探索实现硅基电致发光和激光的新原理、新结构和新技术。本研究是发展新型硅基纳米电致发光和激光器件、实现纳光子与硅微电子集成的一种新途径，具有重要的科学意义和广泛的应用前景。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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