表面等离子激元增强的纳米硅场效应发光器件
基本信息
批准号：60877022
项目类别：面上项目
资助金额：38.00
负责人：冉广照
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2008
结题年份：2011
起止时间：2009-01-01 - 2011-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：乔永平,孙凯,陈挺,李延钊,尹扬,赵伟强
关键词：
纳米硅光致发光场效应发光管电致发光表面等离子激元
结项摘要
在硅光子学中, 实现高效率的硅光源是一个基本的和富有挑战的课题. 采用硅纳米结构被证明是获得有效发光的重要途径之一. 但在目前,纳米硅的发光效率仍未达到实用水平...本项目拟在已有成果基础上,利用纳米硅与表面等离子激元间的强相互作用, 明显提高纳米硅的辐射速率; 同时,在金属表面引入亚波长散射结构, 把表面等离子激元转化为自由空间的光子,从而大幅度提高纳米硅光致发光效率和器件的外量子效率. 该项目对其他间接带隙半导体材料发光效率的提高具有借鉴意义...项目涉及近场光学，固体发光,微纳制备等交叉领域的前沿，具有深刻的科学内涵和在光电子集成方面的应用前景。
项目摘要
项目成果
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暂无此项成果
数据更新时间：2023-05-31
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