基于REC技术的低成本多波长单片集成DFB激光器芯片研究

单片集成光电芯片在光网络上的应用越来越广泛，并成为光网络技术的发展趋势。本项目把自主知识产权的重构－等效啁啾（REC）技术应用于在密集波分复用（DWDM）网络中非常重要的单片集成多波长、多功能分布反馈（DFB）半导体激光器芯片的研制上，目的是突破传统全息曝光技术难以制作复杂DFB光栅结构缺点。REC技术通过在均匀DFB光栅结构引入大尺度的周期性调制（仅需要微米尺度工艺），实现了原本需要纳米尺度才能实现的复杂DFB光栅结构。基于REC技术和全息曝光技术在半导体光电晶片上可以形成具有等效复杂结构（等效啁啾和等效相移）的DFB光栅，从而最终实现高性能、低成本的单片集成多波长DFB激光器芯片。本课题顺利完成后，（1）可掌握适合REC技术的基本全息曝光工艺；（2）实现具有复杂结构高性能折射率调制DFB激光器；（3）研制成功8-16波长的单片集成激光器芯片；（4）双波长DFB激光器。