通过在GaAs/AlGaAs多量子阱材料表面沉积SiOx膜然后快速退火的手段,实现了量子阱材料的部分无序,即阱垒之间组分部分混合,能隙改变,吸收边兰移。证明经部分无序处理后材料仍然具有量子阱的基本特性,且载流子浓度分布不会发生显著变化。将上述技术应用于量子阱材料的微区处理,实现微区吸收带边差异,进而制作出脊波导型激光器与调制器的集成器件,集成器件的调制段(经部分无序处理)对激光器发出纳光有良好控制作用,在5.6V反向偏压下消光比达20dB。与调制段未经无序处理的集成器件相比,明显看出部分无序处理在降低光损耗方面的重要作用。本课题还对GaInAs/AlInAs长波长量子阱材料的部分无序处理进行探讨。上述研究成果可广泛应用于单片光子集成中。
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数据更新时间:2023-05-31
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