量子阱光放大器与调制器单片光子集成器件研究

首次研制出采用InGaAs/InGaAlAs应变补偿量子阱结构的脊波导型光放大器与光调制器的集成器件，在光传输实验中实现了接近于零的插入损耗。调制器在2V驱动电压下，消光比达15dB，调制器带宽7GHg。本研究成果成功解决了EA调制器在单独使用时插入损耗大的问题。无损EA调制器的研制将为调制器的分立使用开拓更广阔的应用前景。研究中采用InGaAs/InGaAlAs材料系，成功实现放大器的工作，对应变补偿量子阱结构的设计及材料生长进行了研究，对多层波导结构半导体激光放大器的端面镀膜参数进行理论分析与计算。上述工作为今后进一步研制偏振无关半导体光放大器及其集成器件打下良好的基础。