用于材料表面改性的电子束蒸发(EBV)强流金属离子源

本项目进行了离子源的放电特性和规律，源的阴极及放电室结构，低能大束流引出系统及电荷志等研究；并初步研究了薄膜快速沉积条件。其主要结果为：1）源的特性研究证实了该离子源可在宽的放电电压及电流范围内稳定工作。2）完成了长时间工作的阴极及放电室结构及材料研究。3）完成了不同元素时，放电之压，放电功率及束流关系研究，并已引出CWTaMoCrTiBSiNiCuAlArN等固态及气志元素离子。最高束流达90mA。最高薄膜沉积速率C为80A/3，Ti为30A/S。Ti离子电荷态超过5。制备的CN膜，最高硬度适HK5000。由于该源具有广阔应用前景，在第六届国际离子源会议上引起了同行的广泛兴趣与注意。发明专利公告后已被香港经贸局国际商务中心选入《中华优秀专利技术精选》。