微波大功率GaAs PIN二极管器件模型及关键工艺研究

基本信息
批准号:60676045
项目类别:面上项目
资助金额:25.00
负责人:张海英
学科分类:
依托单位:中国科学院微电子研究所
批准年份:2006
结题年份:2009
起止时间:2007-01-01 - 2009-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:杨浩,尹军舰,吴茹菲,陈立强
关键词:
大功率微波GaAs器件模型PIN二极管
结项摘要

GaAs PIN二极管作为一种新型有源器件,在超高频大功率微波控制电路中具有明显的竞争优势。但由于GaAs PIN二极管特性具有工艺依赖性且其高频大功率行为特征仍在研究之中,因此微波电路仿真和器件提参软件均未提供器件非线性模型。我国对GaAs PIN二极管材料及工艺的研究开展也较少。以上因素严重阻碍了GaAs PIN二极管在我国微波控制电路中的应用。为此,本项目将对GaAs PIN二极管器件模型及关键工艺进行深入研究。本项目将提出适合超高频大功率条件应用的GaAs PIN二极管器件新结构;建立可以完整、准确表征GaAs PIN二极管行为特征的新型器件模型;建立与常用EDA软件兼容的实用化器件模型;对制约GaAs PIN二极管性能的关键工艺进行专项研究,最终制成适用于毫米波大功率控制电路的GaAs PIN二极管。提升GaAs PIN二极管的实用性,为其在微波毫米波控制电路中的应用奠定基础。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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