化合物半导体的固态杂质源激光诱导扩散的研究

研制成激光诱导扩散区温度分布的不接触实时测量系统，测温区域直径可小到18μm，温度分辨能力0.3℃；建成固态杂质源激光诱导扩散装置，分别用10.6μmCO2激光和脉冲1.06μmNd：YAG激光，在GaAs衬底上实现固态杂质源激光诱导Zn扩散，并用二次电子质谱仪对样品成分进行的逐层扫描分析，研究了激光诱导扩散p-n结的杂质浓度分布，结深等性能参数与扩散时间、扩散温度、激光脉冲能量、曝光脉冲数量等工艺参数之间的关系。这些是国内外未见报道的开拓性研究。扩散结的掺杂浓度容易达到10（20）cm（-3）量级，结深可以浅到亚微米，能满足高密度集成电路的高掺杂超浅结要求。完成论文四篇，专著一部。研究成果在集成电路、集成光学、尤其在单片混合光电集成等领域有广阔的应用前景。