脉冲激光淀积法制备KTP晶体薄膜及其结构、性能研究

利用脉冲激光法制备了几种典型的氧化物功能薄膜。首次在MgO衬底上处延生长了钾钠铌酸锶钡铁电薄膜；在LaAlO3衬底上实现了该膜的异质结取向生长，并首次观测到了其典型的电滞回线和铁电参数，表明这一薄膜具有用作薄膜光波导和铁电存储器的潜力。系统地研究了性能优良的La0.5Sr0.5CoO3导电薄膜在多种衬底和沉积温度条件下的外延生长和电输运特性，获得了衬底及沉积温度等对这一薄膜性能的影响及机理的深入认识。在Si（100）基片上制备了（100）取向的CeO2薄膜，首次发现了CeO2的取向对氧压的独特依赖关系，提出了新的界面生长模型。在LaAlO3衬底上处延生长了几种稀土掺杂锰氧化物薄膜。观测到了低磁场下显著的铁磁转变及巨磁电阻效应。