高能离子束感生再结晶和消除剩余缺陷的研究
基本信息
批准号：19075004
项目类别：面上项目
资助金额：3.50
负责人：王忠烈
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：1990
结题年份：1993
起止时间：1991-01-01 - 1993-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈南翔,张伯旭,李映雪,时伯荣,刘向东,杨庆
关键词：
MEV级离子注入半导体离子束感生再结晶
结项摘要
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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