注意缺陷多动障碍(ADHD) 是一种与多巴胺(DA)功能异常密切相关的疾病。最近,有流行病学调查显示高电磁辐射环境中ADHD发病率增高。我们近期研究发现亲代暴露于电磁脉冲(EMP)可引起子代雄性大鼠活动过度,伴有学习成绩低下和冲动行为等ADHD样行为改变,实验结果还提示这种改变可能与多巴胺转运体(DAT)及其DA功能异常有关,本项目拟以EMP对DAT及DAT相关DA代谢途径上重要分子的影响为切入点,结合生物物理学、生物化学、分子生物学、行为学等实验方法,以亲代大鼠暴露于EMP所产子代雄鼠为研究对象,研究EMP与子代雄鼠ADHD样神经行为学改变之间的关系及其可能的机理,为阐明EMP对子代神经行为学健康影响及其神经生化和分子生物学机理奠定基础,项目成果可望为制定新的电磁损伤防治措施提供重要的实验和理论依据,并且从全新视角探讨环境与ADHD病因和发病机制之间的关系具有重要的理论价值和现实意义。
注意缺陷多动障碍(ADHD) 是一种与多巴胺(DA)功能异常密切相关的疾病。最近,有流行病学调查显示高电磁辐射环境中ADHD 发病率增高。我们近期研究发现亲代暴露于电磁脉冲(EMP)可引起子代雄性大鼠活动过度,伴有学习成绩低下和冲动行为等ADHD 样行为改变,实验结果还提示这种改变可能与多巴胺转运体(DAT)及其DA 功能异常有关,本项目以EMP 对DAT 及DAT 相关DA 代谢途径上重要分子的影响为切入点,结合生物物理学、生物化学、分子生物学、行为学等实验方法,以亲代大鼠暴露于EMP 所产子代雄鼠为研究对象,研究EMP 与子代雄鼠ADHD 样神经行为学改变之间的关系及其可能的机理,为阐明EMP 对子代神经行为学健康影响及其神经生化和分子生物学机理奠定基础。. 选用健康Wister大鼠雌雄均有,随机分为正常对照组(假辐照组,CTR)、1万次脉冲组(P1)、10万次脉冲组(P10)和30万次脉冲组(P30),雌性4组,雄性4组。分别接受0次、1万次、10万次和30万次脉冲UWB照射(场强100kV•m-1,脉宽1.16µs)。辐照后4mo将分组相同的雌性和雄性动物合笼生育子代,子代根据其亲代的分组方式相应分为F-CTR、F-P1、 F-P10、F-P30。通过行为学实验检测子代大鼠2mo龄时的学习记忆能力。.2mo龄子代大鼠在各项行为学试验中与正常对照组相比有不同的改变。Y迷宫实验中,10万次脉冲组子代与正常对照组相比学习次数减少;旷场试验中,1万次脉冲组子代与正常对照组相比自发活动和探索能力提高;穿梭试验中,各辐照组与正常对照组相比均无差异。.在该辐照条件下,2mo龄的子代大鼠在学习记忆方面和对新事物的探索能力都有提高。100kV•m-1的UWB辐照对发育期子代表现出明显小剂量刺激效应。.各组大鼠前额叶皮质、豆状核区多巴胺转运体免疫反应强度在24月龄组明显低于3月龄( P < 0.01)及12月龄组( P < 0.05),24月龄组大鼠前额叶皮质、豆状核区DAT与β-actin免疫印迹条带相对吸光度的比值低于3月龄和12月龄组( P < 0.05, P < 0.01) ;辐照♀+辐照♂组大鼠前额叶皮质、豆状核区多巴胺转运体免疫反应强度在1月龄,3月龄高于其他组( P < 0.05),辐照♀+辐照♂组大鼠前额叶皮质、豆状核区DAT与β-actin免疫印迹条带相对
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数据更新时间:2023-05-31
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