硅纳米线pn结的研究
基本信息
批准号：60376026
项目类别：面上项目
资助金额：22.00
负责人：廖显伯
学科分类：
依托单位：中国科学院半导体研究所
批准年份：2003
结题年份：2006
起止时间：2004-01-01 - 2006-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：吴巨,曾湘波,徐艳月,孙虹,郝会颖
关键词：
pn结硅纳米线一维纳米结构
结项摘要
在发展硅基光电子学和纳米电子学的进程中,硅基纳米微结构的研究受到了高度的重视.这首先是因为硅基纳米微结构具有独特的光学性质.作为微电子技术基础的硅,由于属间接带隙材料, 迄今仍被排斥于光发射器件之外. 然而理论上预计, 处于无限深势阱中的硅纳米线的电子态结构已具有直接或准直接能带隙,其相应的激子发光振子强度也大为增强. 这就从理论上揭示了研制高效硅基发光器件的可能性, 进而为研制光耦合高性能超大规模集成电路带来了希望.本项申请根据国际研究动态及我国尚无pn结SINWS研制报道的情况,在本组成功生长SiNWS的基础上,拟用等离子体增强化学沉积加预退火方法制备pn结SINWS,研究其独特的量子输运现象及发光特性,探索其器件应用的前景.
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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