Zn(1-x)MgxO混晶薄膜及其场致电子发射性能
基本信息
批准号：60244003
项目类别：专项基金项目
资助金额：14.00
负责人：方国家
学科分类：
依托单位：武汉大学
批准年份：2002
结题年份：2005
起止时间：2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：官文杰,李伟平,董彬忠,刘侃,盛苏,李春,陈志强
关键词：
Zn(1x)MgxO混晶薄膜场致电子发射
结项摘要
制备能带间隙Eg>4.0 eV; 电子亲和势φa <2.0 eV的Zn1-xMgxO混晶薄膜。找到薄膜结构、煞钟肫涔ひ詹问南嗷ス叵怠Ｑ芯緼u/Zn1-xMgxO/Ta2O5/Ni结构器件的场致电子发射特性，电子发射率达到1%, 寿命达到5000小时以上。对于推动平板显示技术的应用基础研究与产业化具有重要意义。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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