用于NvFeRAM的新材料、微结构及其可靠性等问题的研究

基本信息
批准号:90207027
项目类别:重大研究计划
资助金额:28.00
负责人:朱劲松
学科分类:
依托单位:南京大学
批准年份:2002
结题年份:2005
起止时间:2003-01-01 - 2005-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:严锋,王小敏,苏东,包鹏,宋春花,陈恺
关键词:
非挥发铁电存储器新材料微结构及可靠性
结项摘要

通过对材料的微结构及物性研究,搞清组成元素对其微结构及性能的影响,通过替代、掺杂、共生、固溶等手段达到改进并进而设计和发展用于NvFeRAM的新材料。研究与存储记忆有关的物理问题。特别是尺寸效应、应力效应、疲劳、保持等与可靠性有关的问题,在搞清机理的前提下提出改进措施。研究与FeFET及DRAM有关的高K gate材料及相关物理问题。

项目摘要

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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