通过对材料的微结构及物性研究,搞清组成元素对其微结构及性能的影响,通过替代、掺杂、共生、固溶等手段达到改进并进而设计和发展用于NvFeRAM的新材料。研究与存储记忆有关的物理问题。特别是尺寸效应、应力效应、疲劳、保持等与可靠性有关的问题,在搞清机理的前提下提出改进措施。研究与FeFET及DRAM有关的高K gate材料及相关物理问题。
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数据更新时间:2023-05-31
奥希替尼治疗非小细胞肺癌患者的耐药机制研究进展
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强震过程滑带超间隙水压力效应研究:大光包滑坡启动机制
化工新材料的纳微结构及其制备和性能研究
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等时性及其相关问题研究