PZT,SBT薄膜中的尺寸效应及微观机理研究
基本信息
批准号：59872014
项目类别：面上项目
资助金额：11.00
负责人：朱劲松
学科分类：
依托单位：南京大学
批准年份：1998
结题年份：2001
起止时间：1999-01-01 - 2001-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：陈小兵,覃红侠,陈晓剑,王小敏
关键词：
SBT及PZT薄膜尺寸效应微观机理
结项摘要
研究NVFRAM所使用的二类前沿铁电薄膜材料PZT，SBT中的晶粒大小及薄膜厚度对薄膜的铁电等性能的影响。搞清尺寸对薄膜中畴结构及畴壁动性，对薄膜－电极界面结构的影响和内在联系。研究这二类薄膜中尺寸效应的差异并进而得到铁电薄膜中尺寸效应的微观机理及物理图象。本研究将为下一代高密度记忆存储器的制备及降低使用电压提供理论和实验基础。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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