氮化镓的PAMOCVD生长中的可控活化与活性粒子研究

为解决高温（1000℃）获得活性氮与立方GaN在高温下会转化为六方GaN且造成氮空位多的矛盾，我们提出了采用RCR等离子体可控活化的方法求提供活化氮；为解决在单晶膜外延生长中引入等离子体通常会造成晶面离子损伤的困难，我们选取用了自己研制的腔耦合型磁多级ECR等离子体源，它能产生高能（5-20cv）电子成分多而离子能量低的等离子体。在完成等离子体特性与活化作用的测量分析，测出活化氮与微波功率、工作气压的定标关系以及氢等离子体的清洗与催化作用等大量实验研究的基础上，我们在国内首次用ECR-等离子体辅助MOCVD方法在低温气压条件下在GaAs衬底上异质外延出了立方GaN单晶膜，其品质达到了同期国际先进水平，因而被列入了国家863计划及211工程重点建设学科。