在表面上定位生长单壁碳纳米管
基本信息
批准号：90101015
项目类别：重大研究计划
资助金额：21.00
负责人：李彦
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2001
结题年份：2004
起止时间：2002-01-01 - 2004-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：许军舰,黄福志,张庆敏
关键词：
单壁碳纳米管化学气相沉积定位生长
结项摘要
单壁碳纳米管具有独特的电学性质，在电子行业有重要的应用前景。用纳米管构筑纳米器件时需要精确控制其位置，本项目拟用AFM Lithography 的方法将催化剂准确放置到硅表面的指定位置，从而控制化学气相沉积得到的碳纳米管的生长位置。因为AFM Lithography 的分辨率在10mm量级，此法可非常精确地控制纳米管在表面上的位置。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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