Ⅱ—Ⅴ族化合物发光材料中等电子杂质行为的研究

基本信息
批准号:18870737
项目类别:面上项目
资助金额:4.00
负责人:郑健生
学科分类:
依托单位:厦门大学
批准年份:1988
结题年份:1991
起止时间:1989-01-01 - 1991-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:郑健生,吴伯僖,颜炳章,张永,余琦,糜东林
关键词:
Ⅰ—Ⅴ族化物束缚电子等电子杂质
结项摘要

项目摘要

项目成果
{{index+1}}

{{i.achievement_title}}

{{i.achievement_title}}

DOI:{{i.doi}}
发表时间:{{i.publish_year}}

暂无此项成果

数据更新时间:2023-05-31

其他相关文献

1

祁连山天涝池流域不同植被群落枯落物持水能力及时间动态变化

祁连山天涝池流域不同植被群落枯落物持水能力及时间动态变化

DOI:10.13885/j.issn.0455-2059.2020.06.004
发表时间:2020
2

气相色谱-质谱法分析柚木光辐射前后的抽提物成分

气相色谱-质谱法分析柚木光辐射前后的抽提物成分

DOI:10.14067/j.cnki.1673-923x.2018.02.019
发表时间:2018
3

面向云工作流安全的任务调度方法

面向云工作流安全的任务调度方法

DOI:10.7544/issn1000-1239.2018.20170425
发表时间:2018
4

物联网中区块链技术的应用与挑战

物联网中区块链技术的应用与挑战

DOI:10.3969/j.issn.0255-8297.2020.01.002
发表时间:2020
5

TGF-β1-Smad2/3信号转导通路在百草枯中毒致肺纤维化中的作用

TGF-β1-Smad2/3信号转导通路在百草枯中毒致肺纤维化中的作用

DOI:10.13692/ j.cnki.gywsy z yb.2016.03.002
发表时间:2016

郑健生的其他基金

批准号:68877017
批准年份:1988
资助金额:3.00
项目类别:面上项目
批准号:60276002
批准年份:2002
资助金额:20.00
项目类别:面上项目
批准号:69376035
批准年份:1993
资助金额:5.00
项目类别:面上项目
批准号:18670788
批准年份:1986
资助金额:5.80
项目类别:面上项目
批准号:69776011
批准年份:1997
资助金额:8.50
项目类别:面上项目

相似国自然基金

1

新型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光材料的光学性质研究

批准号:69776011
批准年份:1997
负责人:郑健生
学科分类:F0405
资助金额:8.50
项目类别:面上项目
2

Ⅲ-Ⅴ族化合物纳米材料的低温非水体系制备和发光性能

批准号:29671028
批准年份:1996
负责人:钱逸泰
学科分类:B0104
资助金额:15.00
项目类别:面上项目
3

矿物发光材料中杂质及结构变化对发光性能的影响

批准号:49772099
批准年份:1997
负责人:曹琳
学科分类:D0203
资助金额:15.00
项目类别:面上项目
4

ZnO纳米线及其阵列的生长动力学、缺陷杂质的行为,发光及电子输性质运研究

批准号:90606023
批准年份:2006
负责人:俞大鹏
学科分类:E0207
资助金额:100.00
项目类别:重大研究计划