RTCVD结合SLS技术在SiO2隔离层上高速制备大晶粒多晶硅薄膜研究

快速热化学气相沉积(RTCVD)在陶瓷等廉价耐高温衬底上制备多晶硅薄膜电池是一条最有可能实现产业化的薄膜电池技术。为了阻止衬底中杂质向硅活性层的扩散，需要在两者之间制备一层隔离层。因RTCVD在隔离层上沉积的多晶硅膜的晶粒尺寸太小，而无法制成性能良好的电池，人们通常使用区熔再结晶（ZMR）技术来增大晶粒尺寸。尽管RTCVD+ZMR+廉价耐高温衬底技术已制备出效率超过10%的薄膜电池，但是该技术迟迟不能产业化，其主要原因是使用了高成本、工艺复杂、难以产业化的ZMR技术。针对这一问题，本项目创新性地提出用已产业化的顺序横向固化（SLS: Sequential Lateral Solidification）技术代替ZMR技术，有选择性地晶化籽晶层的一些区域作为成核点，然后用RTCVD在其上外延硅薄膜。该技术路线有望实现RTCVD在隔离层上高速制备厚约35μm的大晶粒多晶硅薄膜的目标。