在纳米尺度,选择Si/SiO2界面为研究对象。Si是基底,SiO2为Si基底面上的纳米尺度小岛。Si是半导体材料,SiO2是绝缘材料,被广泛应用于微电子器件中。应用分子动力学方法模拟Si/SiO2界面断裂,观察微裂纹,空洞和界面位错形核和演化,与原子操纵的实验结果比较。增进对纳米尺度界面裂纹的理解,建立外载荷与界面断裂韧性和强度的关系,为材料设计和应用提供有价值的参考数据。
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数据更新时间:2023-05-31
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