ZnO纳米线及其阵列的生长动力学、缺陷杂质的行为，发光及电子输性质运研究
基本信息
批准号：90606023
项目类别：重大研究计划
资助金额：100.00
负责人：俞大鹏
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2006
结题年份：2010
起止时间：2007-01-01 - 2010-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：邢启江,章蓓,吕劲,尤力平,徐军,张耿民,侯玉敏,陈莉,张敬民
关键词：
ZnO纳米线缺陷与p型掺杂电子输运异质结发光机理
结项摘要
氧化锌是一种宽禁带半导体材料，由于具有很大的激子束缚能、良好的光电特性、抗氧化、耐高温特性等引起了交叉学科科学家的极大兴趣。ZnO纳米线是目前ZnO研究的焦点之一。本项目拟在我们以前工作的坚实基础上，从以下三个方面开展系统、深入的研究工作。第一、开展ZnO纳米线生长动力学方面的研究，结合原位生长技术，分析各种准一维ZnO纳米结构及其阵列的生长动力学机理和可控制生长；第二、开展对ZnO纳米线中的缺陷
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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