自催化VLS法选择定位生长GaN纳米线阵列及其发光特性
基本信息
批准号：20471019
项目类别：面上项目
资助金额：8.00
负责人：陈翌庆
学科分类：
依托单位：合肥工业大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：杨保俊,苏勇,周如龙,陈林,姜晶
关键词：
自催化VLS生长光致发光GaN纳米线阵列定位生长
结项摘要
本申请项目以GaN纳米线作为图案原型，通过高温下GaN纳米线自身的内在化学反应，形成与图案形状排列一致的、具有催化性质的Ga纳米液滴（核）点阵结构，再利用"自催化气-液-固"(self-catalytic vapor-liquid-solid)生长机制定位生长出具有和设计图案相同的有序纳米线阵列结构。研究生长温度、生长腔气压、载流气流速、衬底性质等因素对定位生长的GaN纳米线阵列的形态、尺寸和纳米
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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