本申请项目以GaN纳米线作为图案原型,通过高温下GaN纳米线自身的内在化学反应,形成与图案形状排列一致的、具有催化性质的Ga纳米液滴(核)点阵结构,再利用"自催化气-液-固"(self-catalytic vapor-liquid-solid)生长机制定位生长出具有和设计图案相同的有序纳米线阵列结构。研究生长温度、生长腔气压、载流气流速、衬底性质等因素对定位生长的GaN纳米线阵列的形态、尺寸和纳米
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数据更新时间:2023-05-31
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