氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究
基本信息
批准号：50532070
项目类别：重点项目
资助金额：100.00
负责人：傅竹西
学科分类：
依托单位：中国科学技术大学
批准年份：2005
结题年份：2009
起止时间：2006-01-01 - 2009-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：傅竹西,林碧霞,余庆选,徐彭寿,赵特秀,谢家纯,刘磁辉,廖源,何海燕,江国顺
关键词：
氧化锌异质结电致发光缺陷和杂质的行为硅衬底
结项摘要
本课题研究硅衬底上ZnO异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为。根据我们在Si上通过SiC过渡层生长ZnO单晶薄膜和阳离子受主掺杂使紫外发光增强的优异结果，设计一种新型的电致发光异质结构：首先在Si基片上外延p型SiC，然后生长阳离子掺杂的p型ZnO发光层，最后再淀积n型ZnO。由n型ZnO和p型SiC向发光层注入电子和空穴，在发光层复合发光。该方案既可在硅基片上实现ZnO单晶薄膜的外延，又可发挥阳离
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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