ESD研究用传输线脉冲发生器设备

传输线脉冲发生器（TLP）由于可以测量出静电防护器件在承受静电脉冲过程中的ＩＶ曲线，提供集成电路静电放电防护全局保护结构需要的特性参数，已成为研究器件与电路静电放电防护技术的重要设备．国际上，在０８年的ＥＳＤ／ＥＯＳ会议中，涉及器件和集成电路ＥＳＤ防护技术的３１篇文章中有２５篇用到了ＴＬＰ设备，而０６年ＩＥＤＭ会议报道的３篇ＥＳＤ防护文献中，则有２篇用到了此设备．但国内在维普中文科技期刊库里任意字段包含ＥＳＤ和ＴＬＰ词条的文献只有14篇，其中只有6篇包含了自主测试的ＴＬＰ数据，与之相对应的，则是我国公布的ＥＳＤ防护专利中不到１５％是中国公司申请的，由此可见国内在ＥＳＤ研究领域仍需加倍努力．本研究旨在基于中国科学院微电子研究所已取得的ＴＬＰ研究成果，提供性能与国际水平相当，价格为国际商业化产品25％-75％的ＴＬＰ系统，并将此技术在国内迅速推广，以大力推动我国ESD防护技术的基础研究工作。

传输线脉冲发生器（TLP）用于测量电子器件在承受静电脉冲过程中的IV曲线，提供集成电路静电放电（ESD）防护全局保护结构需要的仿真参数。国际ESD防护相关文章中有80%使用到了该设备，而国内则只有少数几家单位拥有TLP设备，并且为低端机型，与之相对应的，则是我国公布的ESD防护专利中不到15%是大陆公司申请的。开发高性能、低价格的TLP设备，对提升我国ESD防护技术开发能力，提升我国电子产品可靠性,促进中国电子设备从中国制造向中国创造方向发展有非常重要的意义。通过本项目的研究，制造出了上升沿0.1-10ns可调，脉冲宽度1ns-200ns可调，电压0V-1000V（0-20A）可调的传输线脉冲发生器，可提供已知的各种静电模式的方波模拟方案，为我国静电放电防护技术研究工作提供强大的设备支持，并开发出了0.18um和0.35um SOI CMOS集成电路ESD防护技术，ESD防护能力均可达人体模式（HBM）6000V。在此基础上，还开发出了在20ns处测量10uA超快脉冲电流电压测试技术和2000V/40A超快中功率方波发生技术，有力支持了我国阻变存储器阻变过程测试功率器件关态电学击穿特性测试和功率器件关态电学击穿特性测试等精细研究工作。