高K/金属栅CMOS器件的性能退化机理研究
基本信息
批准号：90407015
项目类别：重大研究计划
资助金额：36.00
负责人：康晋锋
学科分类：
依托单位：北京大学
批准年份：2004
结题年份：2007
起止时间：2005-01-01 - 2007-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：甘学温,张京华,杨红,孙卫,杨岩,萨宁
关键词：
沟道迁移率费米钉扎效应高K栅介质金属栅低压低功耗CMOS
结项摘要
高K/金属栅CMOS器件是适于SOC的高速低功耗应用的主要器件结构之一。本项目研究针对高K/金属栅CMOS器件工艺集成中的遇到的一些技术困难，如金属栅费米钉扎效应引起的阈值电压升高、沟道载流子迁移率下降等问题，在物理机制和实验方面开展研究工作。研究影响金属栅费米钉扎效应的主要物理机制，提出满足高速、低压、低功耗性能要求的高K/金属栅CMOS集成工艺方案；研究引起高K/金属栅CMOS器件沟道载流子迁移率下降的主要物理机制及其产生条件，提出解决问题的可能途径和技术路线。项目研究成果将为适于SOC的高速低功耗器件的发展奠定基础，为发展具有我国自主知识产权的高速、低压、低功耗器件提供科学方法和技术来源。
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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